
產(chǎn)品特點
器件采用14引腳帶TEC的封裝形式,內(nèi)置自研InGaAsP/InP基DFB激光器芯片,采用脊波導工藝制作。具有低閾值電流、高輸出光功率和高邊模抑制比的特點。
應(yīng)用領(lǐng)域
甲烷探測
產(chǎn)品特點
器件采用14引腳帶TEC的封裝形式,內(nèi)置自研InGaAsP/InP基DFB激光器芯片,采用脊波導工藝制作。具有低閾值電流、高輸出光功率和高邊模抑制比的特點。
應(yīng)用領(lǐng)域
甲烷探測
主要指標
指標 | 性能 |
閾值電流 | ≤ 15 mA |
工作電流 | 120 mA |
工作電壓 | ≤ 2 V |
輸出光功率 | 20 mW |
中心波長 | 1653.7 ± 2 nm |
邊模抑制比 | 35 - 40 dB |
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